BSC018N04LSGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
530 руб.
от 2 шт. —
440 руб.
от 5 шт. —
361 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Номенклатурный номер: 8007912089
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSC018N04LSGATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для современных электронных схем. Осуществляется монтаж данного транзистора методом SMD, что делает его идеальным выбором для плат с поверхностным монтажом. Устройство способно управлять током стока до 100 А и выдерживает напряжение сток-исток в 40 В, что позволяет использовать его в мощных применениях. Мощность транзистора составляет 125 Вт, а очень низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0018 Ом, обеспечивает высокую эффективность и минимизацию потерь энергии. Для гарантии надежности и долговечности компонента, он заключен в устойчивый к термическим нагрузкам корпус PG-TDSON-8. Транзистор BSC018N04LSGATMA1 является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации своих проектов с точки зрения мощности и эффективности. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 125 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0018 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 30 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1.8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 113 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 54@4.5VI113@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 8900@20V |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet BSC018N04LSGATMA1
pdf, 363 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
