2SD1898T100Q
79 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 79 шт. —
71 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR,NPN, 80V, SC-62, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V, Transition Frequency ft:100MHz, Power Dissipation Pd:500mW, DC Collector Current:500mA, DC Current Gain hFE:82hFE, No. of Pins:3Pins , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@500mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 82 |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.363 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
