DTD114EKT146

DTD114EKT146
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
200 руб.
от 2 шт.110 руб.
от 3 шт.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8008296036
Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, RF, NPN, 50V, 200MHZ, SOT-346-3, Digital Transistor Polarity:Single NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V, Continuous Collector Current Ic:500mA, Base Input Resistor R1:10kohm, Base-Emitter Resistor R2:10kohm , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Collector Current (DC) 0.5(A)
Configuration Single
DC Current Gain 56
Emitter-Collector Voltage (Max) 50(V)
Package Type SMT
Packaging Tape and Reel
Power Dissipation 0.2(W)
Type NPN
Typical Input Resistor 10
Typical Resistor Ratio 1
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № DTD114EK
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 56
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DTD114EK
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SC-59-3
Ширина 1.6 mm
Base Product Number DTD114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package SMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 200mW
Вес, г 0.032

Техническая документация

Datasheet DTD114EKT146
pdf, 1045 КБ
Datasheet DTD114EKT146
pdf, 1049 КБ
Документация
pdf, 1077 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.