IRFP150PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 29А, 230Вт, TO247AC

Фото 1/2 IRFP150PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 29А, 230Вт, TO247AC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт.390 руб.
от 100 шт.313 руб.
от 200 шт.285.12 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 800 руб.
Номенклатурный номер: 8008498664
Артикул: IRFP150PBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор 100V N-CHANNEL HEXFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 41 A
Pd - рассеивание мощности 230 W
Qg - заряд затвора 140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 120 ns
Время спада 81 ns
Высота 20.82 mm
Длина 15.87 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 13 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Серия IRFP
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 60 ns
Типичное время задержки при включении 16 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Вес, г 4.6

Техническая документация

Datasheet IRFP150PBF
pdf, 1488 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов