IRFP150M

IRFP150M
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
410 руб.
от 2 шт.340 руб.
от 5 шт.300 руб.
от 10 шт.293 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 410 руб.
Номенклатурный номер: 8008536444
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 42 A
Pd - рассеивание мощности 160 W
Qg - заряд затвора 110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 36 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Base Product Number IRFP150 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 23A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 42A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 160W
Rds On - Drain-Source Resistance 36mО© @ 23A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1141 КБ
Datasheet IRFP150MPBF
pdf, 1170 КБ
Datasheet IRFP150MPBF
pdf, 1207 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов