Модуль памяти Advantech 2G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1.35V Unbuffered Samsung Chip Advantech AQD-D3L2GN16-SQ1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
4 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 300 руб.
Описание
СЕРВЕРЫ И СХД\Память\Память
Тип памяти: UnbufferedФорм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR3
Объем одного модуля, ГБ: 2
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 2
Эффективная частота, МГц: 1600
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество ранков: 1
Количество контактов: 240
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
Activate to Precharge Delay (tRAS): 27
Напряжение питания, В: 1.35
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 30
Вид поставки: RTL
Технические параметры
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 27 |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Вид поставки | RTL |
| Высота, мм | 30 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
| Низкопрофильная | Нет |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 |
| Объем одного модуля, ГБ | 2 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Пропускная способность, Мб/с | 12800 |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 |
| Стандарт памяти | DDR3 |
| Суммарный объем, ГБ | 2 |
| Ширина, мм | 133.35 |
| Эффективная частота, МГц | 1600 |
| Вес, г | 50 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
