IRF740LCPBF, Транзистор, N-канал, 400В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Фото 1/4 IRF740LCPBF, Транзистор, N-канал, 400В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 шт. со склада г.Москва
130 руб.
110 руб.
от 50 шт.65 руб.
от 200 шт.62 руб.
от 350 шт.61.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Номенклатурный номер: 8008934926
Артикул: IRF740LCPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор 400V N-CH HEXFET

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Product Category Power MOSFET
Process Technology HEXFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 400
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Continuous Drain Current (A) 10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 39(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 39(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1100@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 125000
Typical Fall Time (ns) 20
Typical Rise Time (ns) 31
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 25
Typical Turn-On Delay Time (ns) 11
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Standard Package Name TO-220
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 9.01(Max)
Package Length 10.41(Max)
Package Width 4.7(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Qg - заряд затвора 39 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number IRF740 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet IRF740LCPBF
pdf, 275 КБ
Datasheet IRF740LCPBF
pdf, 271 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах