SBC846BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А

Фото 1/4 SBC846BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 233 шт.7 руб.
от 465 шт.6 руб.
от 929 шт.5.30 руб.
50 шт. на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8008965935
Артикул: SBC846BWT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А

Технические параметры

корпус SC-70-3(SOT323)
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 65
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Supplier Temperature Grade Automotive
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Standard Package Name SOT-323
Supplier Package SC-70
Pin Count 3
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.85
Package Length 2.1
Package Width 1.24
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 450
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SBC846
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SC-70-3
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage 65 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SC-70
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 179 КБ
Datasheet
pdf, 105 КБ