DTC144EU3HZGT106

DTC144EU3HZGT106
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
238 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.99 руб.
от 10 шт.81 руб.
от 100 шт.62.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8009038249
Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент
DIGITAL TRANS, 50V, 0.1A, SOT-323; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:47kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-323; No. of Pins:3 Pin; Product Range:DTC144E Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Collector Current (DC) 0.1(A)
Configuration Single
DC Current Gain 68
Emitter-Collector Voltage (Max) 50(V)
Package Type UMT
Power Dissipation 0.2(W)
Type NPN
Typical Input Resistor 47
Typical Resistor Ratio 1
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Выходное напряжение 100 mV
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-323-3
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Manufacturer Rohm Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 200mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Series Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package UMT3
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 1.503

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.