FGH75T65UPD, FGH75T65UPD

Фото 2/2 FGH75T65UPD, FGH75T65UPD
Фото 1/2 FGH75T65UPD, FGH75T65UPD
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва
640 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.
Номенклатурный номер: 8009256729
Артикул: FGH75T65UPD
Производитель: ON Semiconductor

Описание

IGBT транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 150A 187W

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 187 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 450
Серия FGH75T65UPD
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах