AUIRFB8405

Фото 1/2 AUIRFB8405
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 16 шт.120 руб.
от 32 шт.113 руб.
от 100 шт.103 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 390 руб.
Номенклатурный номер: 8009268828
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Транзистор полевой N-канальный 40В 120A

МОП-транзистор Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 163 W
Qg - заряд затвора 107 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.9 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 128 ns
Время спада 77 ns
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001516720
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolIRFet
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 100 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 55 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number AUIRFB8405 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5193pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 163W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100ВµA
Вес, г 2.86

Техническая документация

auirfb8405
pdf, 222 КБ
Datasheet AUIRFB8405
pdf, 227 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов