VN0104N3-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
400 руб.
от 2 шт. —
310 руб.
от 5 шт. —
244 руб.
от 10 шт. —
219.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8009347230
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
D-MOSFET, N-CH, 0.35A, 40V, TO-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:350mA; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V;
Технические параметры
Brand | Microchip Technology |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Id - Continuous Drain Current | 2 A |
Manufacturer | Microchip |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | FET |
Typical Turn-Off Delay Time | 6 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
Unit Weight | 0.00776 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Brand: | Microchip Technology |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 5 ns |
Forward Transconductance - Min: | 300 mmho |
Id - Continuous Drain Current: | 350 mA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
Rise Time: | 5 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | FET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 757 КБ
Документация
pdf, 639 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.