IRF830ASTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 5A

Фото 1/2 IRF830ASTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 8 шт.109 руб.
от 15 шт.99 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8009437605
Артикул: IRF830ASTRLPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A

Технические параметры

Корпус D2Pak(TO-263)
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 500
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Continuous Drain Current (A) 5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 1400@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 24(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 24(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 620@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 3100
Typical Fall Time (ns) 15
Typical Rise Time (ns) 21
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 21
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name TO-263
Pin Count 3
Supplier Package D2PAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 4.83(Max)
Package Length 10.41(Max)
Package Width 9.65(Max)
PCB changed 2
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Вес, г 2.35

Техническая документация

Datasheet IRF830ASTRLPBF
pdf, 251 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов