IXTP10N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 10А, 200Вт, TO220-3, 500нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
от 3 шт. —
830 руб.
от 10 шт. —
643 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 руб.
Описание
МОП-транзистор 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 740 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PolarHV |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP10N60 |
| Технология | Si |
| Тип | PolarHV Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вес, г | 2.08 |
Техническая документация
Datasheet IXTP10N60P
pdf, 151 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
