FGH40N60SMDF

FGH40N60SMDF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 2 шт.1 560 руб.
от 5 шт.1 510 руб.
от 10 шт.1 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 640 руб.
Номенклатурный номер: 8009646788
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

IGBT,N CH,FAST,W/DIO,600V,80A,TO247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:349W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Power Dissipation Max:349W; Transistor Type:IGBT

Технические параметры

Base Part Number FGH40N60
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Gate Charge 119nC
IGBT Type Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 349W
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Series -
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 1.3mJ(on), 260ВuJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 12ns/92ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 6.93

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов