IPD031N06L3GATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 100А, 167Вт, PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IPD031N06L3GATMA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET элемент, предназначенный для SMD монтажа. С его помощью можно управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 60 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,0031 Ом, он обеспечивает повышенную эффективность и уменьшает потери мощности, которая достигает 167 Вт. Корпус PG-TO252-3 гарантирует надежность и простоту интеграции в различные электронные схемы. Выбирая IPD031N06L3GATMA1, вы получаете надежный и долговечный компонент для своих проектов. Код товара для удобства поиска и заказа: IPD031N06L3GATMA1. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 167 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0031 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 167 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 4.5 V |
| Width | 6.223mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@100A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@93uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13nF@30V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 79nC@4.5V |
| Type | null |
| Вес, г | 1.43 |
Техническая документация
Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1
pdf, 441 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
