AUIRFR5305TR

AUIRFR5305TR
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 13 шт.260 руб.
от 26 шт.241 руб.
от 51 шт.231 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8010572462
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт

Технические параметры

Корпус d-pak(to-252aa)
Brand Infineon/IR
Configuration Single Quint Source
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 63 ns
Forward Transconductance - Min 8 S
Height 2.3 mm
Id - Continuous Drain Current -31 A
Length 6.5 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 110 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 63 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 65 mOhms
Rise Time 66 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 39 ns
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Unit Weight 0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -55 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage -4 V
Width 6.22 mm
Вес, г 0.64

Техническая документация

Datasheet AUIRFR5305
pdf, 300 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов