AUIRFR5305TR

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 13 шт. —
260 руб.
от 26 шт. —
241 руб.
от 51 шт. —
231 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8010572462
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт
Технические параметры
Корпус | d-pak(to-252aa) | |
Brand | Infineon/IR | |
Configuration | Single Quint Source | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 63 ns | |
Forward Transconductance - Min | 8 S | |
Height | 2.3 mm | |
Id - Continuous Drain Current | -31 A | |
Length | 6.5 mm | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-252-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 110 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 63 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms | |
Rise Time | 66 ns | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | P-Channel | |
Transistor Type | 1 P-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns | |
Unit Weight | 0.139332 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -55 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -4 V | |
Width | 6.22 mm | |
Вес, г | 0.64 | |
Техническая документация
Datasheet AUIRFR5305
pdf, 300 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов