MSC060SMA070B4, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 140 руб.
от 3 шт. —
2 510 руб.
от 10 шт. —
2 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 140 руб.
Номенклатурный номер: 8010854440
Артикул: MSC060SMA070B4
Страна происхождения: СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ
Бренд / Производитель: Microsemi
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Pd - рассеивание мощности | 143 W |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 23 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-247-4 |
| Base Product Number | MSC060 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 20V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1175pF @ 700V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Power Dissipation (Max) | 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet MSC060SMA070B4
pdf, 2071 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
