IRF7342PBF, сборка из полевых транзисторов, P-канал 55В 3.4А 2Вт SO8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 20 шт. —
60 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8011116035
Артикул: IRF7342PBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, DUAL P CH, -55V, -3.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.4A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.4 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 105 10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1(Min) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 26 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 690 25V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 210 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
