IRF1405STRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 131A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
320 руб.
от 15 шт. —
293 руб.
от 30 шт. —
282 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 55В 131A
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Brand: | Infineon/IR | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 | |
| Fall Time: | 110 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 69 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 131 A | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | TO-252-3 | |
| Part # Aliases: | IRF1405STRLPBF SP001571200 | |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 170 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 mOhms | |
| Rise Time: | 190 ns | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 131 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Package Type | D²Pak | |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
