IRF7341GTRPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R

Фото 1/2 IRF7341GTRPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
Добавить в корзину 4000 шт. на сумму 680 000 руб.
Номенклатурный номер: 8012771332
Артикул: IRF7341GTRPBF

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

• Advanced process technology
• Dual N-channel MOSFET
• Ultra-low on-resistance
• 175°C operating temperature
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 5.1А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.7Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.043Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 5.1 A
Maximum Drain Source Resistance 65 mO
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SO-8
Pin Count 8
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IRF7341GTRPBF
pdf, 199 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов