VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2800 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
63 руб.
от 100 шт. —
24 руб.
от 400 шт. —
23 руб.
от 700 шт. —
21.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 63 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5.2A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 27W | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 3.2A,10V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA | |
Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet VB2658
pdf, 1147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.