HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
20 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 670 руб.
Номенклатурный номер: 8013626070
Артикул: HFGM150D12V3

Описание

Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors

Технические параметры

Application for UPS, Inverter
Case V3 62MM
Collector current 150A
Electrical mounting FASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage ±30V
Manufacturer HUAJING
Max. off-state voltage 1.2kV
Mechanical mounting screw
Pulsed collector current 350A
Semiconductor structure transistor/transistor
Technology PT
Topology IGBT half-bridge
Type of module IGBT
Вес, г 324.5

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.