HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
35 520 руб.
от 3 шт.31 780 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 35 520 руб.
Номенклатурный номер: 8013626395
Артикул: HFGM300D12V3

Описание

Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors

Технические параметры

Application for UPS, Inverter
Case V3 62MM
Collector current 300A
Electrical mounting FASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage ±30V
Manufacturer HUAJING
Max. off-state voltage 1.2kV
Mechanical mounting screw
Pulsed collector current 600A
Semiconductor structure transistor/transistor
Technology PT
Topology IGBT half-bridge
Type of module IGBT
Вес, г 325.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 154 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.