HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 шт., срок 6 недель
12 680 руб.
от 3 шт.10 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 680 руб.
Номенклатурный номер: 8013626396
Артикул: HFGM75D12V1

Описание

Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors

Технические параметры

Application for UPS, Inverter
Case V1
Collector current 75A
Electrical mounting FASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage ±30V
Manufacturer HUAJING
Max. off-state voltage 1.2kV
Mechanical mounting screw
Pulsed collector current 200A
Semiconductor structure transistor/transistor
Technology PT
Topology IGBT half-bridge
Type of module IGBT
Вес, г 155

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.