TIP31C, , Биполярный NPN транзистор , 100 В, 3 А, корпус TO-220-3

Фото 1/9 TIP31C, , Биполярный NPN транзистор , 100 В, 3 А, корпус TO-220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1350 шт. со склада г.Москва
34 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт.32 руб.
от 200 шт.31 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 1 700 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8014323058
Артикул: TIP31C, , Биполярный NPN транзистор , 100 В, 3 А,
Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы биполярные
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Корпус to-220
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Коэффициент усиления hFE мин. 25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100
Максимальный постоянный ток коллектора, А 3
Тип проводимости NPN
Упаковка TUBE, 50 шт.
Base Product Number TIP31 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
кол-во в упаковке 50
Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 3 A
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz
Height 9.15 mm(Max)
Length 10.4 mm(Max)
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current 3 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 40 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 500V Transistors
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.6 mm(Max)
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Power Dissipation 2 W
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Minimum DC Current Gain 10
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TIP31C
pdf, 136 КБ
Datasheet TIP31C
pdf, 136 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.