Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BC846BMB,315, BC846BMB,315 NPN Transistor ...

BC846BMB,315, BC846BMB,315 NPN Transistor, 100 mA, 65 V, 3-Pin DFN1006B, SOT-883B

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6400 шт., срок 7 недель

39 руб.

Кратность заказа 100 шт.

от 1000 шт. — 22 руб.

Добавить в корзину 100 шт. на сумму 3 900 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014479948

Артикул: BC846BMB,315

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors

Transistors single NPN, A great choice of devices, and packages down to ultra-small sizes, Part of a 300+ strong, small-signal bipolar device portfolio, our single NPN transistors are pefect for your switching and amplification applications.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	65 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DFN1006B, SOT-883B
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	934066134315
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	90 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	DFN1006B-3
Collector Emitter Voltage Max	65В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	250мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	DFN1006B
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	1