IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 15 шт. —
323 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.075 Ом/18А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 | |
Крутизна характеристики, S | 17 | |
Корпус | TO-247AC | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP250NPBF
pdf, 180 КБ
Datasheet IRFP250N
pdf, 180 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают