LBSS84LT1G, 50V 130mA 225mW 10-@5V,100mA 2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
90160 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.30 руб.
от 3000 шт. —
2.64 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 130mA 225mW 10Ω@5V,100mA 2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 130mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 225mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10О© @ 100mA,5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet LBSS84LT1G
pdf, 139 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
