STU7N80K5, 800V 6A 950m-@10V,3A 110W 4V@100uA 1pF@100V N Channel 360pF@100V 13.4nC@0~10V -55-~+150-@(Tj) TO-251-3(IPAK) MOSFETs ROHS

Фото 1/2 STU7N80K5, 800V 6A 950m-@10V,3A 110W 4V@100uA 1pF@100V N Channel 360pF@100V 13.4nC@0~10V -55-~+150-@(Tj) TO-251-3(IPAK) MOSFETs ROHS
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 10-12 недель
240 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015789540
Артикул: STU7N80K5
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6 A
Pd - рассеивание мощности 110 W
Qg - заряд затвора 13.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 8.3 ns
Время спада 20.2 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия STU7N80K5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 23.7 ns
Типичное время задержки при включении 11.3 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-251-3
Base Product Number STU7N80 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.4nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESH5в„ў ->
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100ВµA
Вес, г 1.18

Техническая документация

Datasheet STU7N80K5
pdf, 868 КБ
Datasheet STU7N80K5
pdf, 502 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах