2SC2235-Y, 100nA 120V 900mW 120@100mA,5V 800mA 120MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92LM Bipolar Transistors - BJT
21470 шт., срок 7 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12.55 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
120V 900mW 120@100mA,5V 800mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 120V |
| Maximum DC Collector Current | 800mA |
| Pd - Power Dissipation | 900mW |
| Вес, г | 0.51 |
Техническая документация
Datasheet 2SC2235-Y
pdf, 1033 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
