UT3N06G-AE3-R, 60V 3A 90m-@10V,3A 350mW 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs

UT3N06G-AE3-R, 60V 3A 90m-@10V,3A 350mW 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3310 шт., срок 7 недель
28 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.16 руб.
от 300 шт.15 руб.
от 3000 шт.10.91 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015915902
Артикул: UT3N06G-AE3-R

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 3A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 350mW
Rds On - Drain-Source Resistance 90mО© @ 3A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 241 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.