UT3N06G-AE3-R, 60V 3A 90m-@10V,3A 350mW 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3310 шт., срок 7 недель
28 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
16 руб.
от 300 шт. —
15 руб.
от 3000 шт. —
10.91 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 90mО© @ 3A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 241 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.