SSM3J331R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
2885 шт., срок 10-12 недель
44 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
29 руб.
от 100 шт. —
25 руб.
от 500 шт. —
20.01 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 220 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8016464251
Артикул: SSM3J331R,LF
Страна происхождения: ЯПОНИЯ
Бренд / Производитель: Toshiba
Описание
P-канал 20V 4A (Ta) 1W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23F
Технические параметры
| Base Product Number | TC62D748 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSVI -> |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J331R,LF
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
