DMC4029SK4-13, 40V 8.3A 1.5W 24mOhm@10V,6A 3V@250uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel TO-252-4 MOSFETs

DMC4029SK4-13, 40V 8.3A 1.5W 24mOhm@10V,6A 3V@250uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel TO-252-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
140 руб.
от 10 шт.91 руб.
от 30 шт.79 руб.
от 100 шт.69.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8017613153
Артикул: DMC4029SK4-13
Бренд: DIODES INC.

Описание

Power MOSFETs
Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Технические параметры

Количество Выводов 4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 8.3А
Полярность Транзистора Дополнительные каналы N и P
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.015Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 4.8 ns, 25.5 ns
Id - Continuous Drain Current: 8.3 A, 6.1 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: TO-252-4
Pd - Power Dissipation: 2.9 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 19.1 nC, 21.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms, 33 mOhms
Rise Time: 7.1 ns, 19.6 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 15.1 ns, 34.9 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.3 ns, 8.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V, 3 V
Вес, г 0.48

Техническая документация

Datasheet
pdf, 610 КБ
Datasheet DMC4029SK4-13
pdf, 730 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов