MMDT2227Q-7-F, 10nA 200mW 100@150mA,10V 600mA 1PCSNPN&1PCSPNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

MMDT2227Q-7-F, 10nA 200mW 100@150mA,10V 600mA 1PCSNPN&1PCSPNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.22 руб.
от 150 шт.18 руб.
от 500 шт.15.31 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8017625838
Артикул: MMDT2227Q-7-F
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max NPN 40В
Collector Emitter Voltage Max PNP 40В
Continuous Collector Current NPN 600мА
Continuous Collector Current PNP 600мА
DC Current Gain hFE Min NPN 100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP 100hFE
DC Ток Коллектора 600мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Power Dissipation NPN 200мВт
Power Dissipation PNP 200мВт
Transition Frequency NPN 300МГц
Transition Frequency PNP 200МГц
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40В
Полярность Транзистора Complementary NPN and PNP
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Вес, г 0.006

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов