BC847PNQ-7-F, 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/2 BC847PNQ-7-F, 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.19 руб.
от 150 шт.16 руб.
от 500 шт.13.13 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 155 руб.
Номенклатурный номер: 8017633792
Артикул: BC847PNQ-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 200 mW
Вид монтажа: SMD/SMT
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация: AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200
Конфигурация: Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 450
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Непрерывный коллекторный ток: 100 mA
Подкатегория: Transistors
Полярность транзистора: NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 300 MHz
Производитель: Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки: 3000
Технология: Si
Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка: Diodes Incorporated
Упаковка / блок: SOT-363-6
Collector Emitter Voltage Max NPN 45В
Collector Emitter Voltage Max PNP 45В
Continuous Collector Current NPN 100мА
Continuous Collector Current PNP 100мА
DC Current Gain hFE Min NPN 200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP 200hFE
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation NPN 200мВт
Power Dissipation PNP 200мВт
Transition Frequency NPN 300МГц
Transition Frequency PNP 200МГц
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Полярность Транзистора Complementary NPN and PNP
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 432 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов