IRF1010ESTRLPBF, Транзисторы и сборки MOSFET TO263

IRF1010ESTRLPBF, Транзисторы и сборки MOSFET TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
от 5 шт.260 руб.
от 25 шт.202 руб.
от 100 шт.171.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8021741633
Артикул: IRF1010ESTRLPBF

Описание

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 84 A
Maximum Drain Source Resistance 0.012 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Material Silicon
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IRF1010ESTRLPBF
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов