STW35N60DM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-11 недель
1 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power МОП-транзисторs in TO-247 package
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 10.7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | STW35N60DM2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.2 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | STW35 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў DM2 -> |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 10.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 210 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 54 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| Rise Time | 17 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 701 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 578 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 699 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 568 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
