MJD122T4G

MJD122T4G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
79 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 395 руб.
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 8024075273

Описание

100V 1000@4V,4A NPN 8A 1.75W TO-252-2(DPAK) Darlington Transistors ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 8A
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 10uA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 4V@80mA, 8A
Collector-emitter voltage (Vceo) 100V
DC current gain (hFE@Vce,Ic) 1000@4V, 4A
Operating Temperature -65℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 1.75W
Transistor Type NPN
Transition frequency (fT) -
Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) 4.5 V
Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) 4 V
Collector-Base Voltage (Vcbo) 100 V
Configuration Single
Continuous Collector Current (Ic) 8 A
DC Current Gain (hFE) 1000
Emitter-Base Voltage (Vebo) 5 V
Mounting Type SMD
MSL Level-1
Operating Temperature Max. 150 °C
Operating Temperature Min. -65 °C
Package Type DPAK
Packaging Tape & Reel
Pins 3
Reflow Temperature Max. 260 °C
Transistor Polarity NPN
Transit Frequency 4 MHz

Техническая документация

Datasheet
pdf, 142 КБ
Datasheet MJD122T4G
pdf, 209 КБ