UMT2222AT106, NPN()
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1560 шт., срок 9-11 недель
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 100 шт. —
8.30 руб.
от 500 шт. —
7.58 руб.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 216 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Описание
100nA 40V 200mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) UMT3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 35 |
| DC Current Gain HFE Max | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | UMT2222A |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | UMT2222A |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Height | 0.8 mm |
| Length | 2 mm |
| RoHS | Details |
| Unit Weight | 0.00709 oz |
| Width | 1.25 mm |
Техническая документация
Datasheet UMT2222AT106
pdf, 1422 КБ
Документация
pdf, 1449 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
