FDN327N

PartNumber: FDN327N
Ном. номер: 8027711330
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDN327N
Фото 2/3 FDN327NФото 3/3 FDN327N
Доступно на заказ 2872 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
17 руб. × = 442 руб.
Минимальное количество для заказа 26 шт.
от 100 шт. — 9 руб.
от 500 шт. — 5.24 руб.

Описание

The FDN327N is a 20V specified N-channel MOSFET uses Fairchild's high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for power management and load switch applications.

• Fast switching speed
• 4.5nC Typical low gate charge

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SuperSOT3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 2 А, 0.07 Ом, 0.5 Вт

Технические параметры

Number of Elements per Chip
1
разрешение
Power MOSFET
Typical Turn-On Delay Time
6 ns
длина
2.92mm
тип упаковки
SOT-23
Maximum Drain Source Resistance
0.07 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
высота
0.94mm
размеры
2.92 x 1.4 x 0.94mm
максимальная рабочая температура
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
2 A
ширина
1.4mm
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC@ 4.5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.5 W
Pin Count
3
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
конфигурация
Single
Typical Input Capacitance @ Vds
423 pF@ 10 V
тип монтажа
Surface Mount
Channel Type
N
Channel Mode
Enhancement

Дополнительная информация

Datasheet FDN327N
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SuperSOT