FDN327N, Транзистор полевой N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

22 руб.

Мин. кол-во для заказа 22 шт.

от 112 шт. — 17 руб.

от 224 шт. — 15 руб.

от 447 шт. — 14 руб.

Добавить в корзину 22 шт. на сумму 484 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8027711330

Артикул: FDN327N

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт

Корпус	SOT-23(SuperSOT-3)
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	6.5 ns
Forward Transconductance - Min	11 S
Height	1.12 mm
Id - Continuous Drain Current	2 A
Length	2.9 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SSOT-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	FDN327N_NL
Pd - Power Dissipation	500 mW(1/2 W)
Product	MOSFET Small Signal
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	40 mOhms
Rise Time	6.5 ns
RoHS	Details
Series	FDN327N
Technology	Si
Tradename	PowerTrench
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	14 ns
Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Unit Weight	0.001058 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	8 V
Width	1.4 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2 A
Maximum Drain Source Resistance	70 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
Вес, г	0.02