STGB6NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 11 шт. —
210 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.7 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A | |
| Continuous Collector Current: | 12 A | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | D2PAK-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W | |
| Product Category: | IGBT Transistors | |
| Product Type: | IGBT Transistors | |
| Series: | STGB6NC60HDT4 | |
| Subcategory: | IGBTs | |
| Technology: | Si | |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 899 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
