MMBT2222A-7-F

MMBT2222A-7-F
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 96 шт.
от 353 шт.3 руб.
от 705 шт.2.20 руб.
от 1409 шт.1.90 руб.
Добавить в корзину 96 шт. на сумму 384 руб.
Посмотреть аналоги10
Номенклатурный номер: 8045922742
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-23, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 75
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 40
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 10
Minimum DC Current Gain 50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@0.1mA@10V|35@150mA@1V|100@150mA@10V|40@500mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Maximum Transition Frequency (MHz) 300(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT-23
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.98
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 310mW
Transistor Type NPN
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet MMBT2222A-7-F
pdf, 238 КБ
Datasheet MMBT2222A-7-F
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов