MMBT2222A-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W

Фото 1/7 MMBT2222A-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 89 шт.
от 441 шт.4 руб.
от 882 шт.3.10 руб.
от 1764 шт.2.60 руб.
Добавить в корзину 89 шт. на сумму 534 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги9
Номенклатурный номер: 8045922742
Артикул: MMBT2222A-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W

Технические параметры

Корпус sot-23
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 75
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 40
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 10
Minimum DC Current Gain 50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@0.1mA@10V|35@150mA@1V|100@150mA@10V|40@500mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Maximum Transition Frequency (MHz) 300(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT-23
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.98
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector Base Voltage 75 V
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 600 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 310 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MMBT2222
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 128 КБ
Datasheet
pdf, 421 КБ
Datasheet MMBT2222A-7-F
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов