STP18NM80

PartNumber: STP18NM80
Ном. номер: 8050796701
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STP18NM80
Фото 2/3 STP18NM80Фото 3/3 STP18NM80
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
260 руб. × = 260 руб.
от 10 шт. — 140 руб.
от 50 шт. — 111.03 руб.

Описание

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
10.4 x 4.6 x 15.75mm
высота
15.75mm
длина
10.4mm
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Resistance
0.295 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
190 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2070 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
96 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
ширина
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

Datasheet STP18NM80
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package