STP18NM80

PartNumber: STP18NM80
Ном. номер: 8050796701
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STP18NM80
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STP18NM80Фото 3/3 STP18NM80
230 руб.
Доступно на заказ 351 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 4 шт. — 190 руб.
от 8 шт. — 139 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 460 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
96 нс
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5В пост. тока
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
15.75мм
Максимальное сопротивление сток-исток
295 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
70 nC @ 10 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2070 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В

Дополнительная информация

Datasheet STP18NM80

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.