IRFP250MPBF, Nкан 200В 30А TO247AC

PartNumber: IRFP250MPBF
Ном. номер: 8054125041
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFP250MPBF, Nкан 200В 30А TO247AC
Фото 2/3 IRFP250MPBF, Nкан 200В 30А TO247ACФото 3/3 IRFP250MPBF, Nкан 200В 30А TO247AC
Есть в наличии 11 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 рабочих дня.
150 руб. × = 150 руб.
Есть аналоги

Описание

N-Channel MOSFETs 30A to 33A

MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
16.13 x 5.2 x 21.1mm
высота
21.1mm
длина
16.13mm
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Resistance
0.075 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
214 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247AC
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
123 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2159 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
41 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
ширина
5.2mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

Datasheet IRFP250MPBF
IRFP250MPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRFP250MPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов