IRL7833PBF, Nкан 30В 150А TO220AB

PartNumber: IRL7833PBF
Ном. номер: 8059759135
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRL7833PBF, Nкан 30В 150А TO220AB
Фото 2/3 IRL7833PBF, Nкан 30В 150А TO220ABФото 3/3 IRL7833PBF, Nкан 30В 150А TO220AB
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 рабочих дня.
140 руб. × = 140 руб.
от 35 шт. — 52 руб.
от 350 шт. — 44.08 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRL7833PBF is a 30V single N-channel HEXFET Power MOSFET ideal for high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification. This MOSFET is used in high frequency synchronous buck converters for computer processor power.

• Very low RDS(ON) at 4.5V VGS
• Ultra-low gate impedance
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Industry-leading quality
• Trench MOSFET technology
• ±20V Gate to source voltage
• 0.96W/°C Linear derating factor
• 1.04°C/W Thermal resistance, junction to case
• 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
высота
8.77mm
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Resistance
0.004 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
140 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
4170 pF@ 15 V
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V

Дополнительная информация

Datasheet IRL7833PBF
Datasheet IRL7833PBF
MOSFET N-ch HEXFET 30V IRL7833PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов