IRF8252PBF

PartNumber: IRF8252PBF
Ном. номер: 8089886710
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF8252PBF
Фото 2/3 IRF8252PBFФото 3/3 IRF8252PBF
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
110 руб. × = 330 руб.
Минимальное количество для заказа 3 шт.
от 19 шт. — 54 руб.
от 95 шт. — 40.65 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Год: 2016, корпус: SO8, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 25 А, 2.5 Вт

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Quad Drain, Single, Triple Source
размеры
5 x 4 x 1.5mm
высота
1.5mm
длина
5mm
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Resistance
0.003 Ω
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOIC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
5305 pF@ 13 V
Typical Turn-Off Delay Time
19 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
ширина
4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V

Техническая документация

IRF8252PBF Datasheet
pdf, 233 КБ

Дополнительная информация

MOSFET N-ch HEXFET 25V 25A SOIC8 Data Sheet IRF8252PBF