2N7002WT1G, Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
от 229 шт. —
8 руб.
Добавить в корзину 45 шт.
на сумму 495 руб.
Посмотреть аналоги7
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-323 | |
| Brand: | onsemi | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 9 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SC-70-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signal | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms | |
| Rise Time: | 9 ns | |
| Series: | 2N7002W | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55.8 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.2 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
| Вес, г | 0.017 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
