STW77N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 69А 400Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели

2 090 руб.

от 2 шт. — 1 960 руб.

от 3 шт. — 1 880 руб.

от 6 шт. — 1 780 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 090 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8120793122

Артикул: STW77N65M5

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 650В 69А 400Вт

Корпус	TO-247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	69A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9800pF @ 100V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	400W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 34.5A, 10V
Series	MDmeshв(ў V
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Id - Continuous Drain Current:	69 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	400 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	200 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	30 mOhms
Series:	Mdmesh M5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Вес, г	8.5