MUN5135T1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 281 шт.
от 379 шт. —
1.30 руб.
от 757 шт. —
1.10 руб.
Добавить в корзину 281 шт.
на сумму 562 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Технические параметры
| Корпус | sot-323 | |
| Pd - рассеивание мощности | 202 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 0.85 mm | |
| Длина | 2.1 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A | |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | MUN5135 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms | |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.047 | |
| Торговая марка | ON Semiconductor | |
| Упаковка / блок | SC-70-3 | |
| Ширина | 1.24 mm | |
| Brand | ON Semiconductor | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 0.1 A | |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 | |
| DC Current Gain HFE Max | 80 | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | SC-70-3 | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 202 mW | |
| Peak DC Collector Current | 100 mA | |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Series | MUN5135 | |
| Subcategory | Transistors | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Typical Input Resistor | 2.2 kOhms | |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 | |
| Automotive | No | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 | |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310 | |
| Minimum DC Current Gain | 80@5mA@10V | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Standard Package Name | SOT | |
| Supplier Package | SC-70 | |
| Type | PNP | |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 2.2 | |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 516 КБ
Datasheet MUN5135T1G
pdf, 113 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
